圖5為熱端硅碳棒晶粒表面生長晶須的形貌，其成分分析結果見表1,2。數據表明，圖Sa的晶須中含有少量的碳，而圖Sh中晶須處的SiC已完全被氧化生成SiOZ，鐵為雜質。文獻表明，SiC的抗氧化能力極差，任何溫度下都能被氧化而轉變成SiOZ，由于氧化過程的膨脹作用，使硅碳棒開裂。SiOZ晶須的長出表明氧已經沿開放的氣孔滲透到材料內部，非晶態的SiOZ層結晶成方晶石，從而使在較低溫度下SiC表面形成的SiOZ保護層破裂，降低硅碳棒的使用壽命。這說明試驗用硅碳棒氣孔率較大，消除或減少開放的氣孔有助于提高硅碳棒的使用壽命。這也是國內外硅碳棒壽命不同的一個因素。

       (1>硅碳棒用碳化硅陶瓷材料由尺寸均勻的小晶粒及部分大晶粒組成，對晶粒尺寸的統計分布表明，其分布滿足正態分布。

       (2)加熱200h后斷口表面存在微裂紋及針狀晶須，該生長物為SiC氧化后形成的SiOz。www.0316e.com